|
|
IAUS165N08S5N029ATMA1Артикул: 281958 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm:660А; 167Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-HSOG-8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 660А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 31нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 167Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
2,9мОм; 2.9мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ 5 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 165А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm:660А; 167Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 165А, Idm:660А, 167Вт