|
|
HFGM75D12V1Артикул: 611017 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ. Производитель: HUAJING |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 7 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | V1 |
| Производитель: | HUAJING |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±30В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Применение: |
для UPS; инвертор; |
| Технология: | PT |
| Тип полупроводникового модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 75А |
| Ток коллектора в импульсе: | 200А |
| Топология: | полумост IGBT |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ.
Теги: Модули IGBT, HUAJING, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1, 2кВ