|
|
G3R45MT17DАртикул: 455909 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 12 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Pulsed drain current: | 160А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 182нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -5...15В |
| Напряжение сток-исток: | 1,7кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 438Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 45мОм |
| Технология: |
G3R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 43А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, GeneSiC Semiconductor Inc., Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 7кВ, 43А, Idm: 160А, 438Вт