|
|
G3R350MT12JАртикул: 455903 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 100 |
Кол-во: 960 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | TO263-7 |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Pulsed drain current: | 16А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 12нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -5...15В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 75Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 350мОм |
| Технология: |
G3R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 8А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, GeneSiC Semiconductor Inc., Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 8А, Idm: 16А, 75Вт