|
|
G3R30MT12KАртикул: 455901 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Pulsed drain current: | 200А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 155нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -5...15В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 400Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 30мОм |
| Технология: |
G3R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 63А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, GeneSiC Semiconductor Inc., Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 63А, Idm: 200А, 400Вт