|
|
G3R20MT12NАртикул: 455897 Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 20 |
Кол-во: 153 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Pulsed drain current: | 240А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | -5...15В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 365Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 20мОм |
| Технология: |
G3R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 74А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, GeneSiC Semiconductor Inc., Модуль, одиночный транзистор, 1, 2кВ, 74А, SOT227B, винтами, 365Вт