|
|
G3R20MT12KАртикул: 455896 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 569 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Pulsed drain current: | 240А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 219нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -5...15В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 542Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 20мОм |
| Технология: |
G3R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 90А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, GeneSiC Semiconductor Inc., Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 90А, Idm: 240А, 542Вт