GAN190-650FBEZ Артикул: 858699 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, NEXPERIA, Транзистор: N-JFET, GaN, полевой, HEMT, 650В, 11, 5А, Idm: 20, 5А