|
|
G2R120MT33JАртикул: 455852 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7. Производитель: GeneSiC Semiconductor Inc. |
|
Кратность заказа позиции: 250 Минимальный заказ позиции: 250 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO263-7 |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor Inc. |
| Вид упаковки: | туба |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение сток-исток: | 3,3кВ |
| Полярность: | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 120мОм |
| Технология: |
G2R™; SiC; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, GeneSiC Semiconductor Inc., Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 3, 3кВ, TO263-7