(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • FQP6N80C

FQP6N80C

Артикул: 200144


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; 158Вт; TO220; QFET®.

Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
146


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 26 100
Без НДС: 133.11 грн. 117.52 грн. 98.69 грн. 93.50 грн. 90.25 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: ONSEMI
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 30нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: ±30В
Напряжение сток-исток: 800В
Полярность: полевой
Потери мощности: 158Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 2,5Ом
Технология: QFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 3,2А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; 158Вт; TO220; QFET®.

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0