(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • FQA70N10

FQA70N10

Артикул: 200093


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN; QFET®.

Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
69


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 7 19 450
Без НДС: 192.84 грн. 138.30 грн. 130.51 грн. 129.86 грн.
Корпус: TO3PN
Производитель: ONSEMI
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 11нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: ±25В
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 214Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 23мОм
Технология: QFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 49,5А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN; QFET®.

Теги: FISCHER ELEKTRONIK., Радиатор: штампованный, ребристый, TO3, черный, L:37, 5мм, W:70мм.