|
|
FF200R12KT4HOSA1Артикул: 0199594 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 8 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | AG-62MM-1 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 1,1кВт |
| Тип полупроводникового модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 200А |
| Ток коллектора в импульсе: | 400А |
| Топология: | полумост IGBT |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Полумост IGBT, Urmax:1, 2кВ, Ic:200А, P:1, 1кВт, Ifsm:400А, винтами.