|
|
FDA59N30Артикул: 454629 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 132 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | TO3PN |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 236А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 100нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 300В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 500Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 56мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 35А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 35А, Idm: 236А, 500Вт, TO3PN