|
|
FDN358P
Артикул: 199158
Транзистор: P-MOSFET.
Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
|
|
Кратность заказа позиции: 1
Минимальный заказ позиции: 5
|
Кол-во: 1176
Срок поставки 20-30 дней |
| Количество от: |
1 |
5 |
10 |
50 |
68 |
186 |
500 |
| Без НДС: |
31.17 грн. |
24.17 грн. |
21.56 грн. |
16.60 грн. |
13.10 грн. |
12.40 грн. |
11.96 грн. |
|
|
|
|
|
| Корпус:
|
SuperSOT-3 |
| Производитель:
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR; ON SEMICONDUCTOR; ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD); |
| Вид упаковки:
|
бобина; лента; |
| Заряд затвора:
|
5,6нC; 5.6нC; |
| Кол-во в упаковке:
|
3000шт. |
| Монтаж:
|
SMD |
| Мощность:
|
0.5Вт; 500мВт; |
| Напряжение затвор-исток:
|
±20В |
| Напряжение сток-исток:
|
-30В; 30В; |
| Полярность:
|
полевой |
| Потери мощности:
|
0,5Вт; 0.5Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии:
|
200мОм |
| Технология:
|
PowerTrench® |
| Тип канала:
|
обогащенный |
| Тип транзистора:
|
P-MOSFET |
| Ток стока:
|
-1,5А; -1.5А; 1.5А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов:
|
logic level |
| PDF:
|
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: WELLER,
Инструмент: вакуумный захват,
SMD