ECH8695R-TL-W Артикул: 448498 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8. Производитель: ON SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 2062 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 38 104 500 Без НДС: 41.98 грн. 33.97 грн. 23.41 грн. 22.14 грн. 21.24 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	ECH8
Производитель:	ON SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	60А
Заряд затвора:	10нC
Конструкция диода:	общий сток
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±12,5В
Напряжение сток-исток:	24В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,4Вт
Применение:	контроль зарядки аккумулятора
Сопротивление в открытом состоянии:	9,1мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	11А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8.

Теги: Транзисторы многоканальные, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 24В, 11А, Idm: 60А, 1, 4Вт, ECH8