DMP2100UFU-7 Артикул: 282671 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 2480 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 85 234 3000 Без НДС: 16.54 грн. 10.43 грн. 9.86 грн. 9.48 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	U-DFN2030-6
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±10В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,9Вт; 0.9Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,075Ом; 75мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET x2
Ток стока:	-4,1А; -4.1А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6.

Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: P-MOSFET x2, полевой, -20В, -4, 1А, 0, 9Вт, U-DFN2030-6