DMP2035UVT-7 Артикул: 215387 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 1,2Вт; TSOT26. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 3731 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 100 110 301 Без НДС: 34.31 грн. 26.61 грн. 23.04 грн. 13.75 грн. 8.08 грн. 7.64 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TSOT26
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.2Вт
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,2Вт; 1.2Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,062Ом; 0.062Ом; 62мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-4,8А; -4.8А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 1,2Вт; TSOT26.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4, 8А, 1, 2Вт, TSOT26.