DMP10H4D2S-7 Артикул: 245453 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2885 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 199 547 9000 Без НДС: 24.81 грн. 18.38 грн. 12.02 грн. 9.92 грн. 4.45 грн. 4.20 грн. 4.13 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.38Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,38Вт; 0.38Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	5Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,21А; -0.21А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -0, 21А, 0, 38Вт, SOT23.