DMP1045U-7 Артикул: 215333 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,1А; 800мВт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2570 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 227 500 623 Без НДС: 19.69 грн. 13.65 грн. 9.77 грн. 8.42 грн. 3.90 грн. 3.89 грн. 3.68 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.8Вт; 800мВт;
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-12В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,8Вт; 0.8Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,075Ом; 0.075Ом; 75мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-3,1А; -3.1А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,1А; 800мВт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -12В, -3, 1А, 800мВт, SOT23.