DMN65D8LW-7 Артикул: 278738 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 2978 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 90 246 500 Без НДС: 26.08 грн. 21.50 грн. 18.32 грн. 9.92 грн. 9.35 грн. 9.10 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT323
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,3Вт; 0.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	4Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,26А; 0.26А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 26А, 0, 3Вт, SOT323