DMN65D8L-7 Артикул: 215332 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 540мВт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1752 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 500 557 1532 Без НДС: 6.84 грн. 5.03 грн. 3.42 грн. 2.86 грн. 1.97 грн. 1.59 грн. 1.50 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.54Вт; 540мВт;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,54Вт; 0.54Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	4Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,21А; 0.21А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 540мВт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 21А, 540мВт, SOT23.