DMN63D8LDWQ-7 Артикул: 282670 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 4575 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 100 282 774 Без НДС: 13.44 грн. 9.53 грн. 7.75 грн. 5.54 грн. 3.14 грн. 2.97 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT363
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,3Вт; 0.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	2,8Ом; 2.8Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,26А; 0.26А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363.

Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 0, 26А, 0, 3Вт, SOT363