DMN62D0U-7 Артикул: 247054 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,38Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 10	Кол-во: 6715 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 385 1057 Без НДС: 6.36 грн. 5.41 грн. 4.47 грн. 4.06 грн. 2.30 грн. 2.18 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.38Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,38Вт; 0.38Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	3Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,3А; 0.3А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,38Вт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 3А, 0, 38Вт, SOT23.