(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • DMN5L06DWK-7

DMN5L06DWK-7

Артикул: 402719


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: DIODES INCORPORATED



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
3
Кол-во:
0

Корпус: SOT363
Производитель: DIODES INCORPORATED
Pulsed drain current: 0,8А;
800мА;
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 50В
Полярность: полевой
Потери мощности: 0,25Вт;
250мВт;
Сопротивление в открытом состоянии: 2Ом
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET;
N-MOSFET x2;
Ток стока: 0,305А;
305мА;
Характеристики полупроводниковых элементов: ESD protected gate
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET