DMN53D0LDW-7 Артикул: 278729 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 645 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 250 687 1500 3000 Без НДС: 9.19 грн. 6.55 грн. 5.23 грн. 4.75 грн. 3.55 грн. 3.35 грн. 3.28 грн. 3.22 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT363
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	50В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,31Вт; 0.31Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	2,5Ом; 2.5Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,25А; 0.25А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 50В, 0, 25А, 0, 31Вт, SOT363