DMN3023L-7 Артикул: 278544 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 3417 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 100 131 361 3000 Без НДС: 30.74 грн. 21.70 грн. 17.63 грн. 10.95 грн. 9.23 грн. 6.75 грн. 6.37 грн. 6.24 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,6Вт; 0.6Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,028Ом; 28мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	5,8А; 5.8А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 5, 8А, 0, 6Вт, SOT23