DMN2400UV-7 Артикул: 245452 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,84А; 0,53Вт; SOT563. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 1063 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 152 417 6000 Без НДС: 27.99 грн. 18.70 грн. 12.98 грн. 11.07 грн. 5.85 грн. 5.53 грн. 5.34 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT563
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.53Вт
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,53Вт; 0.53Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,5Ом; 1.5Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,84А; 0.84А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,84А; 0,53Вт; SOT563.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0, 84А, 0, 53Вт, SOT563.