DMN2005LPK-7 Артикул: 247504 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,44А; 0,45Вт; DFN1006-3. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 1124 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 218 600 Без НДС: 10.44 грн. 8.59 грн. 7.64 грн. 4.07 грн. 3.82 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DFN1006-3; X1-DFN1006-3;
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.45Вт
Напряжение затвор-исток:	±10В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,45Вт; 0.45Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	3,5Ом; 3.5Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,44А; 0.44А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,44А; 0,45Вт; DFN1006-3.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0, 44А, 0, 45Вт, DFN1006-3.