|
|
DMN10H170SVTQ-7Артикул: 277703 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,3А; 1,2Вт; TSOT26. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TSOT26 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,2Вт; 1.2Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,2Ом; 200мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
2,3А; 2.3А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,3А; 1,2Вт; TSOT26.
Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 2, 3А, 1, 2Вт, TSOT26.