DMN1004UFV-7 Артикул: 282019 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 816 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 57 157 1000 Без НДС: 48.98 грн. 38.04 грн. 33.20 грн. 23.79 грн. 15.58 грн. 14.69 грн. 14.18 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PowerDI®3333-8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	12В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,9Вт; 0.9Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,0051Ом; 5,1мОм; 5.1мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	55А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 12В, 55А, 0, 9Вт, PowerDI®3333-8