DMG6402LVT-7 Артикул: 277694 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 1,1Вт; TSOT26. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2306 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 100 169 466 1000 3000 Без НДС: 25.46 грн. 21.32 грн. 18.20 грн. 13.56 грн. 8.27 грн. 5.22 грн. 4.96 грн. 4.90 грн. 4.77 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TSOT26
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,042Ом; 42мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	5А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 1,1Вт; TSOT26.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 1, 1Вт, TSOT26.