DMG4800LSD-13 Артикул: 245451 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; 1,5Вт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2330 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 77 211 7500 12500 Без НДС: 51.11 грн. 36.79 грн. 25.27 грн. 11.58 грн. 10.95 грн. 10.82 грн. 10.69 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.5Вт
Напряжение затвор-исток:	±25В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,5Вт; 1.5Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,022Ом; 22мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	6А; 8,4А; 8.4А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; 1,5Вт; SO8.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 6А, 1, 5Вт, SO8.