DMG1023UV-7 Артикул: 215322 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,68А; 530мВт; SOT563. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 857 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 100 152 417 9000 Без НДС: 31.17 грн. 24.30 грн. 20.80 грн. 11.89 грн. 5.85 грн. 5.53 грн. 5.28 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT563
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.53Вт; 530мВт;
Напряжение затвор-исток:	±6В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,53Вт; 0.53Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	25Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET x2
Ток стока:	-0,68А; -0.68А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,68А; 530мВт; SOT563.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0, 68А, 530мВт, SOT563.