DMG1013UW-7 Артикул: 215385 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,54А; 310мВт; SOT323. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 9693 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 302 830 9000 Без НДС: 15.63 грн. 9.83 грн. 6.72 грн. 5.75 грн. 2.93 грн. 2.78 грн. 2.67 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT323
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.31Вт; 310мВт;
Напряжение затвор-исток:	±6В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,31Вт; 0.31Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,5Ом; 1.5Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,54А; -0.54А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,54А; 310мВт; SOT323.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0, 54А, 310мВт, SOT323.