DMG1012TQ-7 Артикул: 276068 Транзистор: N-MOSFET; 20В; SOT523. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 10	Кол-во: 4384 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 347 954 3000 6000 Без НДС: 5.72 грн. 5.41 грн. 4.29 грн. 3.80 грн. 2.55 грн. 2.42 грн. 2.36 грн. 2.32 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT523
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±6В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,28Вт; 0.28Вт;
Применение:	автомобильная отрасль; на транспорте;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,3Ом; 0.3Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,45А; 0.45А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	automotive; ESD protected gate;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 20В; SOT523.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, 20В, SOT523.