|
|
DACSB80060CTАртикул: 215843 Общий катод; Urmax:600В; Ifмакс:800А; Twin tower B; Ufmax:1,45В. Производитель: DACO SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 5 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | Twin tower B |
| Производитель: | DACO Semiconductor |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Импульсный ток: | 3кА |
| Конструкция диода: |
двойной; общий катод; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Обратное напряжение макс.: | 600В |
| Падение напряжения макс.: |
1,45В; 1.45В; |
| Прямой ток: | 2x 400А |
| Прямой ток макс.: | 800А |
| Технология: | SiC |
| Тип модуля: | диодный |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | Шоттки |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Общий катод; Urmax:600В; Ifмакс:800А; Twin tower B; Ufmax:1,45В.
Теги: DACO SEMICONDUCTOR., Общий катод, Urmax:600В, Ifмакс:800А, Twin tower B, Ufmax:1, 45В.