DAGNH2001200Артикул: 315876 Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; HB9434; винтами; винтами. Производитель: DACO SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
Корпус: |
HB9434; HW9434; |
Производитель: | DACO Semiconductor |
Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
Механический монтаж: | винтами |
Монтаж: | винтами |
Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
Потери мощности: | 1,3кВт |
Тип модуля: | IGBT |
Ток коллектора: | 200А |
Ток коллектора в импульсе: | 400А |
Топология: | полумост IGBT |
Электрический монтаж: | винтами |
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; HB9434; винтами; винтами.
Теги: Модули IGBT, DACO Semiconductor, Полумост IGBT, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 200А, HB9434, винтами, винтами