|
|
DAGNH1501200Артикул: 315874 Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; HB9434; винтами; винтами. Производитель: DACO SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
HB9434; HW9434; |
| Производитель: | DACO Semiconductor |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 780Вт |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 150А |
| Ток коллектора в импульсе: | 300А |
| Топология: | полумост IGBT |
| Электрический монтаж: | винтами |
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; HB9434; винтами; винтами.
Теги: Модули IGBT, DACO Semiconductor, Полумост IGBT, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 150А, HB9434, винтами, винтами