WMP05N80M3 Артикул: 276031 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO251. Производитель: CYG		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 51 139 Без НДС: 45.58 грн. 19.31 грн. 17.09 грн. 14.93 грн. 14.09 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO251
Производитель:	CYG WAYON; WAYON;
Вид упаковки:	туба
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	45Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2,3Ом; 2.3Ом;
Технология:	SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO251.

Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 4А, 45Вт, TO251.