WMO12N80M3 Артикул: 276015 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252. Производитель: CYG		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1500 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 16 42 Без НДС: 115.75 грн. 106.16 грн. 92.36 грн. 50.38 грн. 47.38 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	CYG WAYON; WAYON;
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	86Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	620мОм
Технология:	SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	12А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252.

Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 12А, 86Вт, TO252.