|
|
WMO11N80M3Артикул: 276014 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт. Производитель: CYG |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: |
CYG WAYON; WAYON; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 85Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 800мОм |
| Технология: |
SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
10,5А; 10.5А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт.
Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 10, 5А, 85Вт.