WMO10N80M3 Артикул: 276010 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252. Производитель: CYG		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2234 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 26 69 500 Без НДС: 45.58 грн. 35.87 грн. 31.31 грн. 29.99 грн. 28.19 грн. 26.99 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	CYG WAYON; WAYON;
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	85Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,03Ом; 1.03Ом;
Технология:	SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	10А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252.

Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 10А, 85Вт, TO252.