WMM13N80M3 Артикул: 275972 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт. Производитель: CYG		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 580 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 24 64 100 Без НДС: 44.56 грн. 42.65 грн. 38.13 грн. 36.03 грн. 35.01 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO263
Производитель:	CYG WAYON; WAYON;
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	130Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	480мОм
Технология:	SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	13А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт.

Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 13А, 130Вт.