|
|
WMM10N80M3Артикул: 275966 Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO263. Производитель: CYG |
 |
Кратность заказа позиции: 800 Минимальный заказ позиции: 800 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO263 |
| Производитель: |
CYG WAYON; WAYON; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 85Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,03Ом; 1.03Ом; |
| Технология: |
SJ-MOSFET M3; WMOS™ M3; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 10А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO263.
Теги: CYG., Транзистор: N-MOSFET, SJ-MOSFET M3, полевой, 800В, 10А, 85Вт, TO263.