BSS123Q-13 Артикул: 440937 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 9980 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 100 345 947 5000 Без НДС: 12.69 грн. 10.28 грн. 8.82 грн. 5.11 грн. 2.57 грн. 2.43 грн. 2.34 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Pulsed drain current:	680мА
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,3Вт
Применение:	автомобильная отрасль
Сопротивление в открытом состоянии:	6Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	170мА
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 170мА, Idm: 680мА, 0, 3Вт, SOT23