BSH203.215 Артикул: 216464 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -300мА; 170мВт; SOT23. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 3180 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 120 325 500 3000 Без НДС: 8.64 грн. 7.67 грн. 6.83 грн. 6.64 грн. 6.25 грн. 6.12 грн. 6.06 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	NEXPERIA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	2,2нC; 2.2нC;
Кол-во в упаковке:	3000шт.
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.17Вт; 170мВт;
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0.17Вт; 170мВт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,65Ом; 1.65Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	logic level
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,3А; -0.3А; -300мА;
Характеристики полупроводниковых элементов:	logic level
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -300мА; 170мВт; SOT23.

Теги: NEXPERIA., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -300мА, 170мВт, SOT23.