BSH201.215 Артикул: 216463 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 170мВт; SOT23. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 4757 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 121 331 1500 Без НДС: 20.62 грн. 16.24 грн. 11.34 грн. 9.67 грн. 6.48 грн. 6.12 грн. 5.86 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	NEXPERIA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	3нC
Кол-во в упаковке:	3000шт.
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.17Вт; 170мВт;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0.17Вт; 170мВт;
Сопротивление в открытом состоянии:	4,25Ом; 4.25Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Тип транзистора:	logic level
Ток стока:	-0,19А; -0.19А; -190мА;
Характеристики полупроводниковых элементов:	logic level
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 170мВт; SOT23.

Теги: NEXPERIA., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -190мА, 170мВт, SOT23.