(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • BGH50N65HS1

BGH50N65HS1

Артикул: 0641218


Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-3.

Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
34


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5 150
Без НДС: 729.68 грн. 613.72 грн. 579.84 грн. 557.69 грн.
Корпус: TO247-3
Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: туба
Время включения: 54нс
Время выключения: 256нс
Заряд затвора: 308нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор - эмиттер: ±20В
Напряжение коллектор-эмиттер: 650В
Потери мощности: 357Вт
Технология: Field Stop;
SiC SBD;
Trench;
Тип транзистора: IGBT
Ток коллектора: 50А
Ток коллектора в импульсе: 200А
Характеристики полупроводниковых элементов: integrated anti-parallel diode
PDF:
PDF
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-3.

Теги: Радиаторы - оснащение, FISCHER ELEKTRONIK, Прижимная пластина, TO218, TO220, TO247, TO248, TO3P