B1M080120HK Артикул: 641219 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; TO247-4. Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 13 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 150 600 Без НДС: 1 131.73 грн. 1 070.04 грн. 1 029.14 грн. 1 028.49 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-4
Производитель:	BASiC SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	80А
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	149нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	-5...20В
Напряжение сток-исток:	1,2кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	241Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	80мОм
Технология:	SiC
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	27А
Характеристики полупроводниковых элементов:	вывод Кельвина
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; TO247-4.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, BASiC SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 44А, TO247-4