(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • B2M065120Z

B2M065120Z

Артикул: 0761346


Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт.

Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
26


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5
Без НДС: 846.96 грн. 553.78 грн. 523.16 грн.
Корпус: TO247-4
Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current: 85А
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: -4...18В
Напряжение сток-исток: 1,2кВ
Полярность: полевой
Потери мощности: 250Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 65мОм
Технология: SiC
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 33А
Характеристики полупроводниковых элементов: вывод Кельвина
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт.

Теги: Радиаторы - оснащение, FISCHER ELEKTRONIK, Прижимная пластина, TO218, TO220, TO247, TO248, TO3P